MMBT123S-7

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Specifiche

Modello di prodotti

MMBT123S-7
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

MMBT123S-7.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

18V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 30mA, 300mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potenza - Max

300mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

MMBT123SDITR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 100mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A
Numero di parte base

MMBT123S

Notizie correlate
spedizione
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MMBFU310LT1G

Descrizione: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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