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905513Immagine MMDT5551-7.Diodes Incorporated

MMDT5551-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MMDT5551-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MMDT5551-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    160V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    2 NPN (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    MMDT5551DITR
    MMDT5551TR
    MMDT5551TR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    300MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    MMDT5551

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