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2831819Immagine UMC4N-7.Diodes Incorporated

UMC4N-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    UMC4N-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    UMC4N-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-353
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms, 10 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Altri nomi
    UMC4N-7-ND
    UMC4N-7DITR
    UMC4N7
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    MC4

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

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Descrizione: M12 CONN NMEA

Produttori: Amphenol LTW
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Descrizione: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353

Produttori: Diodes Incorporated
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Descrizione: M12 SCREW IN MALE CONN NMEA

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Produttori: Amphenol LTW
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