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3893587Immagine ZXMN2A04DN8TC.Diodes Incorporated

ZXMN2A04DN8TC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMN2A04DN8TC
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMN2A04DN8TC.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 250µA (Min)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.8W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1880pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    22.1nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.9A

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