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6432473Immagine ZXTDE4M832TA.Diodes Incorporated

ZXTDE4M832TA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXTDE4M832TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXTDE4M832TA.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V, 70V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
  • Tipo transistor
    NPN, PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-MLP (3x2)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-VDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    ZXTDE4M832TACT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    160MHz, 180MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    25nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3.5A, 2.5A
  • Numero di parte base
    ZXTDE4M832

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Descrizione: TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN

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Descrizione: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP

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Descrizione: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

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