EPC2104

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2104
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

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Descrizione

TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2104.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 5.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

6.3 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

917-1184-2
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

23A

Notizie correlate
spedizione
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EPC2105ENGRT

Descrizione: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Produttori: EPC

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