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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2111
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EPC2111

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EPC2111
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 5mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
  • Potenza - Max
    -
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    917-1174-6
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)
EPC2108

EPC2108

Descrizione: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descrizione: 200 V GAN IC FET DRIVER

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2203

EPC2203

Descrizione: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2815

EPC2815

Descrizione: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2818

EPC2818

Descrizione: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2110

EPC2110

Descrizione: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descrizione: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descrizione: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2801

EPC2801

Descrizione: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2202

EPC2202

Descrizione: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

Descrizione: IC FPGA FBGA

Produttori: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
In magazzino
EPC2106

EPC2106

Descrizione: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descrizione: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2107

EPC2107

Descrizione: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2LC20

EPC2LC20

Descrizione: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Produttori: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
In magazzino
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino

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