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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N6660JTXL02

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Immagine 2N6660JTXL02.

Electro-Films (EFI) / Vishay

2N6660JTXL02

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Specifiche

Modello di prodotti

2N6660JTXL02
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

2N6660JTXL02.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-205AD (TO-39)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

990mA (Tc)

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