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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori ponte > GBL08-M3/45
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Italia
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GBL08-M3/45

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GBL08-M3/45
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - Picco inversa (max)
    800V
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 2A
  • Tecnologia
    Standard
  • Contenitore dispositivo fornitore
    GBL
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    4-SIP, GBL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    46 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Single Phase
  • Descrizione dettagliata
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    4A
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Descrizione: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Descrizione: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL08

GBL08

Descrizione: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Descrizione: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL10

GBL10

Descrizione: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
GBL06-G

GBL06-G

Descrizione: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Descrizione: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Descrizione: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL08HD2G

GBL08HD2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
GBL10-E3/51

GBL10-E3/51

Descrizione: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL201 D2G

GBL201 D2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
GBL10 D2G

GBL10 D2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
GBL10-M3/51

GBL10-M3/51

Descrizione: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Descrizione: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL08-G

GBL08-G

Descrizione: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
GBL10-M3/45

GBL10-M3/45

Descrizione: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL08 D2G

GBL08 D2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
GBL10-E3/45

GBL10-E3/45

Descrizione: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
GBL10HD2G

GBL10HD2G

Descrizione: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino

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