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2590793Immagine IRFBC40PBF.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBC40PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFBC40PBF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    125W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    *IRFBC40PBF
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Tc)
IRFBC40SPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBC40STRR

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

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IRFBE20S

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBC40LCPBF

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IRFBE20PBF

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IRFBE20

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IRFBC40LCSTRL

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IRFBE20L

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IRFBE20STRL

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBC40STRL

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IRFBC40LCSTRR

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IRFBC40S

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IRFBC40LC

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IRFBC40ASTRRPBF

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