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Immagine IRFBE30L.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE30L

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFBE30L
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRFBE30L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I2PAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

3 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi

*IRFBE30L
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

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