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Immagine IRFD320PBF.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFD320PBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFD320PBF
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRFD320PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.8 Ohm @ 210mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi

*IRFD320PBF
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

400V
Descrizione dettagliata

N-Channel 400V 490mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

490mA (Ta)

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