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Immagine IRFD9110.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFD9110

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFD9110
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRFD9110.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi

*IRFD9110
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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