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2882282Immagine IRFSL11N50APBF.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFSL11N50APBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFSL11N50APBF
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFSL11N50APBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-262-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    550 mOhm @ 6.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    190W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    *IRFSL11N50APBF
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1426pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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