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2819528Immagine SI1026X-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1026X-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI1026X-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI1026X-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-89-6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    SI1026X-T1-E3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    305mA
  • Numero di parte base
    SI1026

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