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4462973Immagine SI1035X-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1035X-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI1035X-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V SC-89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI1035X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    400mV @ 250µA (Min)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-89-6
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    SI1035X-T1-GE3TR
    SI1035XT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    180mA, 145mA
  • Numero di parte base
    SI1035

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In magazzino
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