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SI1965DH-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI1965DH-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI1965DH-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    390 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.25W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    120pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4.2nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Numero di parte base
    SI1965

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