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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI2305DS-T1-E3
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SI2305DS-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI2305DS-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI2305DS-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    SI2305DS-T1-E3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1245pF @ 4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.5A (Ta)

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