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SI2312BDS-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI2312BDS-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI2312BDS-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    31 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    750mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    SI2312BDS-T1-E3TR
    SI2312BDST1E3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

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