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SI2369DS-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI2369DS-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI2369DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    29 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    SI2369DS-T1-GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1295pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 7.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount TO-236
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Tc)

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