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SI4752DY-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI4752DY-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI4752DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 25A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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