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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI4812BDY-T1-GE3
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SI4812BDY-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4812BDY-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4812BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    16 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.4W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4812BDY-T1-GE3TR
    SI4812BDYT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

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Pagamento
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SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI4814BDY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4816DY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4812BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI4818DY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4816BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4820-A10-CUR

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SI4804BDY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4804CDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI4816BDY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4808DY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4804CDY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI4800BDY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4820-A10-CU

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Descrizione: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4816DY-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4800,518

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
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RFQ
SI4800BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4804BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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