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SI4931DY-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4931DY-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4931DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 350µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4931DY-T1-GE3TR
    SI4931DYT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.7A
  • Numero di parte base
    SI4931

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Pagamento
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SI4923DY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI4936CDY-T1-GE3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

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