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SI4944DY-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4944DY-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4944DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 12.2A, 10V
  • Potenza - Max
    1.3W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4944DY-T1-E3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.3A 1.3W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.3A
  • Numero di parte base
    SI4944

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Pagamento
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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