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5779259Immagine SI5401DC-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5401DC-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI5401DC-T1-E3
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.3W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    SI5401DC-T1-E3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta)
SI5397A-A-GM

SI5397A-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5397A-A-EVB

SI5397A-A-EVB

Descrizione: EVAL

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Descrizione: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI5396K-A-GM

SI5396K-A-GM

Descrizione: DUAL PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino

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