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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SI5902BDC-T1-E3

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Immagine SI5902BDC-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5902BDC-T1-E3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI5902BDC-T1-E3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI5902BDC-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Potenza - Max

3.12W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

SI5902BDC-T1-E3CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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