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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI6465DQ-T1-GE3

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Immagine SI6465DQ-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6465DQ-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI6465DQ-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI6465DQ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

12 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

8V
Descrizione dettagliata

P-Channel 8V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

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