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2438510Immagine SI6913DQ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6913DQ-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI6913DQ-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI6913DQ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 400µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
  • Potenza - Max
    830mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    SI6913DQ-T1-GE3TR
    SI6913DQT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.9A
  • Numero di parte base
    SI6913

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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