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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI7840BDP-T1-GE3

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Immagine SI7840BDP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7840BDP-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI7840BDP-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI7840BDP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

PowerPAK® SO-8
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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