Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI7888DP-T1-GE3
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
5053799Immagine SI7888DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7888DP-T1-GE3

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI7888DP-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI7888DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12 mOhm @ 12.4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.8W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SO-8
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta)

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "SI7888DP-T1-GE3".
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.