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582498Immagine SI7913DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7913DN-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI7913DN-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI7913DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.3W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Altri nomi
    SI7913DN-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Numero di parte base
    SI7913

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