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2882485Immagine SI8429DB-T1-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8429DB-T1-E1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8429DB-T1-E1
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI8429DB-T1-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-Microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Altri nomi
    SI8429DB-T1-E1TR
    SI8429DBT1E1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1640pF @ 4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11.7A (Tc)

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