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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SI8900EDB-T2-E1
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1472292Immagine SI8900EDB-T2-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8900EDB-T2-E1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8900EDB-T2-E1
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI8900EDB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1.1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    10-Micro Foot™ CSP (2x5)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    10-UFBGA, CSPBGA
  • Altri nomi
    SI8900EDB-T2-E1TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.4A
  • Numero di parte base
    SI8900

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