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SI9926CDY-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI9926CDY-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI9926CDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • Potenza - Max
    3.1W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI9926CDY-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    27 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Numero di parte base
    SI9926

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SI9936BDY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI9926CDY-T1-E3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI9913DY-T1-E3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SI9936DY,518

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
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