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1070599Immagine SIA527DJ-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA527DJ-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIA527DJ-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIA527DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    7.8W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Altri nomi
    SIA527DJ-T1-GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 8V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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