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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIE844DF-T1-E3

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Immagine SIE844DF-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIE844DF-T1-E3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIE844DF-T1-E3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SIE844DF-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

10-PolarPAK® (U)
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

7 mOhm @ 12.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

5.2W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

10-PolarPAK® (U)
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 44.5A (Tc) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (U)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

44.5A (Tc)

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