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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHA6N65E-E3
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3027872Immagine SIHA6N65E-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHA6N65E-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIHA6N65E-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIHA6N65E-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220 Full Pack
  • Serie
    E
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    31W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1640pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

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Descrizione: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

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