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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHW30N60E-GE3

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Immagine SIHW30N60E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHW30N60E-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIHW30N60E-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SIHW30N60E-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247AD
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

125 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-3P-3 Full Pack
Altri nomi

SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

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