SIR410DP-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIR410DP-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SIR410DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

4.2W (Ta), 36W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

PowerPAK® SO-8
Altri nomi

SIR410DP-T1-GE3-ND
SIR410DP-T1-GE3TR
SIR410DPT1GE3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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