SIRA10BDP-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIRA10BDP-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHAN 30V
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (max) a Id, Vgs

3.6 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 43W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

PowerPAK® SO-8
Altri nomi

SIRA10BDP-T1-GE3TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Ta), 60A (Tc)

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