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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SQM120N02-1M3L_GE3
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6014551Immagine SQM120N02-1M3L_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM120N02-1M3L_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQM120N02-1M3L_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 120A TO263
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SQM120N02-1M3L_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263 (D²Pak)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.3 mOhm @ 40A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14500pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    290nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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Descrizione: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SQM120N04-1M7L_GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SQM10SJB-8K2

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Descrizione: RES WW 10W 5% TH

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Yageo
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Descrizione: MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

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Descrizione: RES WW 10W 5% TH

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Descrizione: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

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