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5805725Immagine SUD19N20-90-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD19N20-90-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SUD19N20-90-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SUD19N20-90-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3W (Ta), 136W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    SUD19N20-90-E3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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