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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SUD40N02-08-E3

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Immagine SUD40N02-08-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD40N02-08-E3

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Specifiche

Modello di prodotti

SUD40N02-08-E3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SUD40N02-08-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

8.3W (Ta), 71W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 40A (Tc) 8.3W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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