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VQ1001P-2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    VQ1001P-2
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    VQ1001P-2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    14-DIP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.75 Ohm @ 200mA, 5V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    -
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    4 N-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    830mA

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