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SI8261ABC-C-IS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8261ABC-C-IS
  • Costruttore / Marca
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI8261ABC-C-IS.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    9.4 V ~ 30 V
  • Tensione - Isolamento
    3750Vrms
  • Tensione - Forward (Vf) (Typ)
    2.8V (Max)
  • Tecnologia
    Capacitive Coupling
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    5.5ns, 8.5ns
  • Distorsione Larghezza Pulse (Max)
    28ns
  • Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max)
    60ns, 50ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    336-4698
    SI8261ABC-C-IS-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C
  • Numero di canali
    1
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
  • Corrente - Uscita di picco
    600mA
  • Corrente - uscita alta, bassa
    400mA, 600mA
  • Corrente - DC Forward (If) (Max)
    30mA
  • Immunità transitoria in modalità comune (Min)
    35kV/µs
  • Approvazioni
    CQC, CSA, UR, VDE

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