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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FDN359BN
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FDN359BN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FDN359BN
  • Costruttore / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FDN359BN.pdf
  • Tensione - Prova
    650pF @ 15V
  • Tensione - Ripartizione
    SuperSOT-3
  • Vgs (th) (max) a Id
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Stato RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.7A (Ta)
  • Polarizzazione
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    FDN359BNFSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    FDN359BN
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7nC @ 5V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • rapporto di capacità
    500mW (Ta)

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Pagamento
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