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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQA11N90C

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Immagine FQA11N90C.

Fairchild/ON Semiconductor

FQA11N90C

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Specifiche

Modello di prodotti

FQA11N90C
Costruttore / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQA11N90C.pdf
Tensione - Prova

3290pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

TO-3P
Vgs (th) (max) a Id

1.1 Ohm @ 5.5A, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

QFET®
Stato RoHS

Tube
Rds On (max) a Id, Vgs

11A (Tc)
Polarizzazione

TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi

FQA11N90CFS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

FQA11N90C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

900V
rapporto di capacità

300W (Tc)

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