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916047Immagine HUF75631S3ST.Fairchild/ON Semiconductor

HUF75631S3ST

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HUF75631S3ST
  • Costruttore / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HUF75631S3ST.pdf
  • Tensione - Prova
    1220pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    D²PAK (TO-263AB)
  • Vgs (th) (max) a Id
    40 mOhm @ 33A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    UltraFET™
  • Stato RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    33A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    HUF75631S3STFSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    9 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    HUF75631S3ST
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    79nC @ 20V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 100V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100V
  • rapporto di capacità
    120W (Tc)

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