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2149292Immagine 1N1200AR.GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N1200AR
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.1N1200AR.pdf
    2.1N1200AR.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 12A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-4
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    1242-1011
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 200°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard, Reverse Polarity
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard, Reverse Polarity 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    12A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N1200AR

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Descrizione: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

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