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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N3767R
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Italia
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1N3767R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N3767R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.1N3767R.pdf
    2.1N3767R.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    35A
  • Tensione - Ripartizione
    DO-5
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Altri nomi
    1N3767RGN
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    1N3767R
  • Descrizione espansione
    Diode Standard, Reverse Polarity 900V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Configurazione diodo
    10µA @ 50V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.2V @ 35A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    900V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 190°C

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 35A DO5

Produttori: GeneSiC Semiconductor
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